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Para los materiales semiconductores tradicionales, la alta frecuencia de conmutación dará lugar a una alta pérdida de conmutación, mientras que las características de baja pérdida del material GAN pueden reducir la generación de calor,
Mientras que el aumento de la frecuencia de conmutación puede reducir el volumen de transformadores y condensadores, lo que ayudará a reducir el volumen y el peso del cargador.
Ahora que la potencia de carga rápida es cada vez mayor, se puede decir que la producción en masa de cargadores GAN para uso civil representa una dirección de desarrollo de cargadores en el futuro.
Aunque el precio actual es relativamente alto, se cree que en un futuro próximo, a medida que la tecnología de los materiales GAN se haga más madura y más popular, el costo de los cargadores GAN será más bajo y más bajo.

El nitruro de galio, fórmula molecular GAN, nombre inglés, nitruro de galio, es un compuesto de nitrógeno y galio. Es un semiconductor de bandGap directo (bandGap directo) y se utiliza actualmente en cargadores de carga rápida.
El rendimiento es ampliamente reconocido por los clientes. Habrá un mercado muy amplio en los próximos 1-3 años.