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De las tradicionales materiales semiconductores, alta frecuencia de conmutación dará como resultado una gran pérdida de conmutación, mientras que las características de baja pérdida de material GaN puede reducir la generación de calor
Mientras aumenta la frecuencia de conmutación puede reducir el volumen de los transformadores y condensadores, que ayudarán a reducir el volumen y peso del cargador.
Ahora que la potencia de carga rápida es cada vez más y más alto, la producción en masa de GaN cargadores para uso civil, puede decirse para representar una dirección de desarrollo de cargadores en el futuro.
Aunque el precio actual es relativamente alto, se cree que en un futuro cercano, como la tecnología de materiales de la GaN se torna más madura y más popular, el costo de los cargadores de GaN será menor y menor.

Nitruro de galio, fórmula molecular GaN, nombre en inglés, el nitruro de galio es un compuesto de nitrógeno y el galio. Es una banda prohibida directa (direct banda prohibida) de los semiconductores y se utiliza actualmente en una carga rápida de los cargadores.
El rendimiento es ampliamente reconocida por clientes. Habrá un mercado muy amplio en los próximos 1-3 años.