- Visión General
- Descripción del producto
- fábrica
Información Básica.
No. de Modelo.
PD 35W
Display
Without Display
Color
White
Socket Type
Us/UK/EU
Customized
Customized
nombre del producto
cargador 35w pd qc3,0
puerto de carga
escriba c *2
producto certificado
CCC, CE, FCC, RoHS
material del producto
pc ignífugo
Paquete de Transporte
Box
Especificación
35W
Marca Comercial
OEM
Origen
China
Descripción de Producto
Smart 30W Plug PD Cargador de teléfono de carga rápida adaptador de alimentación
USB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast Cargador rápido de USB C 30W PD de ChargerUSB
Para los materiales semiconductores tradicionales, la alta frecuencia de conmutación resultará en una alta pérdida de conmutación, mientras que las características de baja pérdida del material GAN pueden reducir la generación de calor, mientras que el aumento de la frecuencia de conmutación puede reducir el volumen de transformadores y condensadores, lo que ayudará a reducir el volumen y el peso del cargador.
Ahora que la potencia de carga rápida está cada vez más elevada, se puede decir que la producción en masa de cargadores GAN para uso civil representa una dirección de desarrollo de cargadores en el futuro.
Aunque el precio actual es relativamente alto, se cree que en un futuro próximo, a medida que la tecnología de los materiales GAN se haga más madura y más popular, el costo de los cargadores GAN será más bajo y más bajo.
El nitruro de galio, fórmula molecular GAN, nombre inglés, nitruro de galio, es un compuesto de nitrógeno y galio. Es un semiconductor de bandGap directo (bandGap directo) y se utiliza actualmente en cargadores de carga rápida.
El rendimiento es ampliamente reconocido por los clientes. Habrá un mercado muy amplio en los próximos 1-3 años.
USB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast ChargerUSB C 30W PD Fast Cargador rápido de USB C 30W PD de ChargerUSB
Producto NG | 95g |
Tamaño del producto | 50*50*69mm |
Conector hembra estándar | EE.UU., Reino Unido, UE, KC/JP UKy AUS enchufe necesitan más 0,2 usd / pc |
Para los materiales semiconductores tradicionales, la alta frecuencia de conmutación resultará en una alta pérdida de conmutación, mientras que las características de baja pérdida del material GAN pueden reducir la generación de calor, mientras que el aumento de la frecuencia de conmutación puede reducir el volumen de transformadores y condensadores, lo que ayudará a reducir el volumen y el peso del cargador.
Ahora que la potencia de carga rápida está cada vez más elevada, se puede decir que la producción en masa de cargadores GAN para uso civil representa una dirección de desarrollo de cargadores en el futuro.
Aunque el precio actual es relativamente alto, se cree que en un futuro próximo, a medida que la tecnología de los materiales GAN se haga más madura y más popular, el costo de los cargadores GAN será más bajo y más bajo.
El nitruro de galio, fórmula molecular GAN, nombre inglés, nitruro de galio, es un compuesto de nitrógeno y galio. Es un semiconductor de bandGap directo (bandGap directo) y se utiliza actualmente en cargadores de carga rápida.
El rendimiento es ampliamente reconocido por los clientes. Habrá un mercado muy amplio en los próximos 1-3 años.